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IXTA14N60P IXTP14N60P
IXTQ14N60P
14
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
30
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
12
V GS = 10V
9V
27
V GS = 10V
9V
24
10
8V
21
8
6
4
2
0
7V
18
15
12
9
6
3
0
8V
7V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
14
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
3.2
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 7A Value
vs. Junction Temperature
12
10
8
V GS = 10V
8V
7V
2.8
2.4
2.0
V GS = 10V
I D = 14A
I D = 7A
6
4
2
0
6V
1.6
1.2
0.8
0.4
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.4
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 7A Value
vs. Drain Current
16
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
3.0
V GS = 10V
T J = 125oC
14
12
2.6
10
2.2
8
1.8
6
1.4
1.0
0.6
T J = 25oC
4
2
0
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
IXYS REF: F_14N60P(5J)12-22-08-G
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IXTQ150N15P 功能描述:MOSFET 150 Amps 150V 0.013 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ152N085T 功能描述:MOSFET 152 Amps 85V 6.6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ160N075T 功能描述:MOSFET 160 Amps 75V 5.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ160N085T 功能描述:MOSFET 160 Amps 85V 0.006 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ160N10T 功能描述:MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ16N50P 功能描述:MOSFET 16.0 Amps 500 V 0.4 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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